Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Средняя скорость случайного чтения: 200 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 250 000 IOps
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 170 000 IOps
Средняя скорость случайной записи: 55 000 IOps; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Радиатор охлаждения: нет; Подсветка: нет; Дата выхода на рынок: 2018
Объем: 0.064 Тб; Форм-фактор: DOM; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: MLC; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Подсветка: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (32-слойная 384-Гбит); Аппаратное шифрование: нет
Объем: 15.36 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 6700 Мб/с
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Подсветка: нет; Радиатор охлаждения: нет
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe); Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Аппаратное шифрование: нет; Скорость последовательного чтения: 7200 Мб/с
Объем: 3.2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (PCIe Gen3 x4 NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: есть; Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: есть; Средняя скорость случайного чтения: 75 000 IOps
