Объем: 3.2 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: U.2 (PCIe Gen3 x4 NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3100 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 835 000 IOps
Общие характеристики |
|||
|---|---|---|---|
| Объем | 3.2 Тб | ||
| Форм-фактор | 2.5" | ||
| Интерфейс | U.2 (PCIe Gen3 x4 NVMe) | ||
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | ||
| Скорость последовательного чтения | 3500 Мб/с | ||
| Скорость последовательной записи | 3100 Мб/с | ||
| Средняя скорость случайного чтения | 835 000 IOps | ||
| Средняя скорость случайной записи | 210 000 IOps | ||
| Энергопотребление (чтение/запись) | 21 Вт | ||
| Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 ч | ||
| Толщина | 15 мм | ||
| Подсветка | нет | ||
| Ресурс записи | 18600 TBW | ||
