Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 5150 Мб/с; Скорость последовательной записи: 4900 Мб/с
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 0.512 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Энергопотребление (чтение/запись): 3.3 Вт; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Буфер обмена: 8192 Мб; Ресурс записи: 2880 TBW; Радиатор охлаждения: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 5.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Средняя скорость случайного чтения: 380 000 IOps
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2.8 мм
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.512 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Энергопотребление (ожидание): 0.005 Вт; Совместимость с PS5: есть; Ресурс записи: 1600 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: есть
Энергопотребление (ожидание): 0.005 Вт; Совместимость с PS5: есть; Ресурс записи: 800 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: есть
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 3.65 мм
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0
Объем: 0.25 Тб; Форм-фактор: M.2; Скорость последовательного чтения: 3200 Мб/с; Скорость последовательной записи: 1300 Мб/с; Радиатор охлаждения: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Средняя скорость случайного чтения: 380 000 IOps
