Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2.8 мм
Энергопотребление (ожидание): 4 Вт; Совместимость с PS5: есть; Ресурс записи: 600 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: есть
Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 14000 TBW; Радиатор охлаждения: нет; Подсветка: нет
Энергопотребление (ожидание): 4.8 Вт; Совместимость с PS5: есть; Ресурс записи: 1200 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: есть
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe); Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 683 TBW; Дата выхода на рынок: 2018; Толщина: 7 мм
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0 (3.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Подсветка: нет
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с; Скорость последовательной записи: 3100 Мб/с
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2.8 мм
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Энергопотребление (чтение/запись): 1.58 Вт
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч
