Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Аппаратное шифрование: есть
Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с
Общие характеристики |
|||
|---|---|---|---|
| Объем | 1 Тб | ||
| Форм-фактор | M.2 | ||
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4) | ||
| Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | ||
| Аппаратное шифрование | есть | ||
| Скорость последовательного чтения | 3500 Мб/с | ||
| Скорость последовательной записи | 3000 Мб/с | ||
| Средняя скорость случайного чтения | 500 000 IOps | ||
| Средняя скорость случайной записи | 480 000 IOps | ||
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.3 Вт | ||
| Энергопотребление (ожидание) | 0.045 Вт | ||
| Время наработки на отказ (МТBF) | 500000 ч | ||
| Толщина | 2.38 мм | ||
| Контроллер | Samsung Pablo | ||
| Подсветка | нет | ||
| Радиатор охлаждения | нет | ||
| Размеры М.2 | 2280 | ||
| Ресурс записи | 600 TBW | ||
| Адаптер 3.5" в комплекте | нет | ||
