Объем: 6.4 Тб
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: U.2 (PCIe Gen3 x4 NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с
Скорость последовательной записи: 3500 Мб/с
Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Общие характеристики |
|||
---|---|---|---|
Объем | 6.4 Тб | ||
Форм-фактор | 2.5" | ||
Интерфейс | U.2 (PCIe Gen3 x4 NVMe) | ||
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | ||
Скорость последовательного чтения | 3500 Мб/с | ||
Скорость последовательной записи | 3500 Мб/с | ||
Время наработки на отказ (МТBF) | 2000000 ч | ||
Толщина | 15 мм | ||
Подсветка | нет |