Объем: 1 Тб
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Скорость последовательного чтения: 2100 Мб/с
Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 188 000 IOps
Общие характеристики |
|||
---|---|---|---|
Объем | 1 Тб | ||
Форм-фактор | M.2 | ||
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) | ||
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND | ||
Скорость последовательного чтения | 2100 Мб/с | ||
Скорость последовательной записи | 1600 Мб/с | ||
Средняя скорость случайного чтения | 188 000 IOps | ||
Средняя скорость случайной записи | 156 000 IOps | ||
Время наработки на отказ (МТBF) | 500000 ч | ||
Дата выхода на рынок | 2019 | ||
Радиатор охлаждения | нет | ||
Размеры М.2 | 2280 |