Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.512 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Скорость последовательного чтения: 2000 Мб/с
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Скорость последовательного чтения: 3200 Мб/с; Скорость последовательной записи: 1600 Мб/с; Толщина: 2.1 мм; Ширина: 22 мм
Объем: 0.256 Тб Форм-фактор: 2.5" Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Аппаратное шифрование: есть Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с Скорость последовательной записи: 500 Мб/с
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5" (15 мм); Интерфейс: U.2; Толщина: 15 мм; Подсветка: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2 (NGFF); Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Скорость последовательного чтения: 570 Мб/с; Скорость последовательной записи: 540 Мб/с; Энергопотребление (чтение/запись): 3.3 Вт; Время наработки на отказ (МТBF): 1000000 ч; Толщина: 3.5 мм
Скорость последовательного чтения: 2000 Мб/с; Скорость последовательной записи: 1300 Мб/с; Энергопотребление (чтение/запись): 3.15 Вт; Время наработки на отказ (МТBF): 1000000 ч; Толщина: 4 мм
Скорость последовательного чтения: 2400 Мб/с; Скорость последовательной записи: 1700 Мб/с; Энергопотребление (чтение/запись): 3.15 Вт; Время наработки на отказ (МТBF): 1000000 ч; Толщина: 4 мм
Объем: 6.4 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Аппаратное шифрование: нет
Подсветка: нет; Глубина: 45 мм; Высота: 69.85 мм; Ширина: 15 мм; Вес в упаковке: 200 г
Объем: 7.68 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Средняя скорость случайного чтения: 94 000 IOps
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0 (NGFF); Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2 мм
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 7 мм
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 7 мм
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe); Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2 мм
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe); Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 2 мм
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Энергопотребление (чтение/запись): 2.3 Вт; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.512 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
