Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с; Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Режим работы: пн. — пт. 09:00 — 17:00, сб. — вс. 10:00 — 17:00+375 33 380-70-00
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с; Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с; Скорость последовательной записи: 450 Мб/с
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Скорость последовательного чтения: 2000 Мб/с; Скорость последовательной записи: 1300 Мб/с
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7000 Мб/с; Скорость последовательной записи: 5900 Мб/с
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с; Скорость последовательной записи: 3100 Мб/с
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Скорость последовательного чтения: 3500 Мб/с; Скорость последовательной записи: 3100 Мб/с
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Скорость последовательного чтения: 1800 Мб/с; Скорость последовательной записи: 1250 Мб/с
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 0.512 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Совместимость с PS5: нет; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 720 TBW; Радиатор охлаждения: нет
Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps; Совместимость с PS5: нет; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 90 TBW; Размеры М.2: 2242
Объем: 0.250 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Средняя скорость случайного чтения: 250 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 170 000 IOps
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч; Толщина: 10.8 мм
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч; Толщина: 10.8 мм
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Энергопотребление (ожидание): 0.03 Вт; Совместимость с PS5: нет; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 110 TBW; Размеры М.2: 2280
Энергопотребление (чтение/запись): 1.7 Вт; Совместимость с PS5: нет; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 110 TBW; Радиатор охлаждения: нет
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.3 (NVMe); Средняя скорость случайного чтения: 1 000 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 180 000 IOps
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3a); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч