Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4a); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4a); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.8 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: TLC; Толщина: 7 мм
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2 (2280); Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 7050 Мб/с; Скорость последовательной записи: 6600 Мб/с
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (PCIe 3.0 x4, NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe); Аппаратное шифрование: нет; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000 ч
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 7 мм
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Энергопотребление (чтение/запись): 20 Вт; Энергопотребление (ожидание): 5 Вт
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 7 мм
Объем: 4 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 3.84 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.256 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: U.2 (PCIe 4.0 x4, NVMe)
Объем: 30.72 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет