Количество разъемов 4-pin Floppy: 1; Ток по линии +5 В Standby: 2.5 А; Ток по линии -12 В: 0.3 А; Ток по линии +12 В 1: 38 А; Ток по линии +5 В: 16 А
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 500 Мб/с
Энергопотребление (чтение/запись): 5.9 Вт; Буфер обмена: 512 Мб; Ресурс записи: 300 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: нет
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Энергопотребление (чтение/запись): 7.2 Вт; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 1665 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: есть
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с
Средняя скорость случайного чтения: 97 000 IOps; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Буфер обмена: 256 Мб; Радиатор охлаждения: нет; Подсветка: нет
Средняя скорость случайной записи: 340 000 IOps; Ресурс записи: 800 TBW; Размеры М.2: 2280; Радиатор охлаждения: нет; Дата выхода на рынок: 2019
Энергопотребление (чтение/запись): 5.485 Вт; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Буфер обмена: 512 Мб; Ресурс записи: 800 TBW; Размеры М.2: 2280
Объем: 0.12 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 500 Мб/с
Объем: 0.48 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Назначение: для процессора; Максимальная рассеиваемая мощность: 110 Вт; Количество вентиляторов: 1; Диаметр вентилятора: 90 мм; Материал радиатора: алюминий
Кэш L3: 8 Мб; Виртуализация Intel VT-x: есть; Виртуализация Intel VT-d: есть; Встроенный контроллер PCI Express: есть; Частота памяти: 2400 МГц
Количество каналов памяти: 1; Виртуализация AMD-V: есть; Встроенный контроллер PCI Express: есть; Частота памяти: 3 МГц; Поддержка памяти: DDR3
Модельный ряд: Ryzen 5; Кодовое название кристалла: Matisse; Сокет: AM4; Дата выхода на рынок: 2019 г.; Количество ядер: 6
Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Число микросхем: 10; Расположение чипов: двустороннее; Количество ранков: 1
Тип: DDR3; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 1600 МГц
tRP: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx8
tRCD: 18; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: есть
CL: 15; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.35 В; tRAS: 36; tRP: 18
Общий объем: 16 Гб; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Количество ранков: 4
Буферизованная (Registered): нет; Количество ранков: 1; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; CL: 11
Тип: DDR2; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 2 Гб; Количество модулей в комплекте: 2; Тактовая частота: 800 МГц
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Количество ранков: 1; Напряжение питания: 1.5 В; tRP: 11; tRCD: 11
tRCD: 11; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 512Mx8; Емкость микросхем: 4 Гбит; Число микросхем: 8
Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2400 МГц
Количество контактов: 240; Количество ранков: 2; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.35 В; tRP: 11
