Кэш L3: 30 Мб; Виртуализация Intel VT-x: есть; Виртуализация Intel VT-d: есть; Hyper-Threading: есть; Встроенный контроллер PCI Express: есть
Режим работы: пн. — пт. 09:00 — 17:00, сб. — вс. 10:00 — 17:00+375 33 380-70-00
Кэш L3: 30 Мб; Виртуализация Intel VT-x: есть; Виртуализация Intel VT-d: есть; Hyper-Threading: есть; Встроенный контроллер PCI Express: есть
Кэш L3: 4 Мб; Многопоточность ядра: есть; Виртуализация Intel VT-x: есть; Виртуализация Intel VT-d: есть; Встроенный контроллер PCI Express: есть
Модельный ряд: Pentium; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2020 г.; Количество ядер: 2; Количество каналов памяти: 2
Модельный ряд: Core i9; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2021 г.; Количество ядер: 8; Частота шины: 8000 МГц
Модельный ряд: Core i9; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2021 г.; Количество ядер: 8; Частота шины: 8000 МГц
Модельный ряд: Core i9; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2021 г.; Количество ядер: 8; Частота шины: 8000 МГц
Модельный ряд: Core i9; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2021 г.; Количество ядер: 8; Частота шины: 8000 МГц
Модельный ряд: Core i9; Кодовое название кристалла: Cascade Lake; Сокет: LGA2066; Дата выхода на рынок: 2019 г.; Поддержка памяти: DDR4
Модельный ряд: Core i7; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2021 г.; Количество ядер: 8; Частота шины: 8000 МГц
Модельный ряд: Core i7; Сокет: LGA1200; Дата выхода на рынок: 2021 г.; Количество ядер: 8; Частота шины: 8000 МГц
Количество каналов памяти: 2; Многопоточность ядра: нет; Виртуализация Intel VT-x: есть; Виртуализация Intel VT-d: есть; Встроенный контроллер PCI Express: есть
Модельный ряд: Ryzen 7 Pro; Кодовое название кристалла: Matisse; Сокет: AM4; Дата выхода на рынок: 2019 г.; Количество ядер: 8
CL: 22; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Напряжение питания: 1.2 В
CL: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: есть
CL: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Радиатор: нет
CL: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Радиатор: нет
tRCD: 11; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Напряжение питания: 1.35 В
CL: 11; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Радиатор: нет
CAS Latency: 11T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 512Mx8
CAS Latency: 22T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx16
Количество контактов: 240; Количество ранков: 2; Напряжение питания: 1.5 В; tRP: 11; tRCD: 11
tRP: 11; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx4
tRCD: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx16
Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Радиатор: нет; Напряжение питания: 1.2 В
Общий объем: 32 Гб; Количество ранков: 2; Радиатор: нет; Напряжение питания: 1.2 В; Тайминги: 17-17-17
Общий объем: 16 Гб; Количество ранков: 2; Радиатор: нет; Напряжение питания: 1.2 В; Тайминги: 15-15-15-40
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 3000 МГц; Поддержка ECC: нет
CL: 11; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Напряжение питания: 1.5 В