Тип флэш-памяти: MLC 3D NAND; Контроллер: Samsung MJX; Интерфейсы: SATA 6Gb/s; Разъем: SATA; Макс. скорость интерфейса: 600 МБ/с
Режим работы: пн. — пт. 09:00 — 17:00, сб. — вс. 10:00 — 17:00+375 33 380-70-00
Тип флэш-памяти: MLC 3D NAND; Контроллер: Samsung MJX; Интерфейсы: SATA 6Gb/s; Разъем: SATA; Макс. скорость интерфейса: 600 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; Емкость: 2000 Гб; Тип: HDD; Шифрование данных: есть; Ширина: 75 мм
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 8000 Гб; Скорость вращения: 7200 rpm; Объем буфера: 256 Мб
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ, время доступа 4.2 мс
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 3000 МГц; Поддержка ECC: нет
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Поддержка ECC: нет
Мощность: 600 Вт; Сертификат 80 PLUS: Bronze; Система охлаждения: 1 вентилятор; Диаметр вентилятора: 120 мм; PFC: активный
Объем: 0.128 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 520 Мб/с
Объем: 0.24 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 550 Мб/с
Назначение: для ноутбука и настольного компьютера; Форм-фактор: М.2; Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND; Контроллер: Samsung Phoenix; Емкость: 250 Гб
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 10000 Гб; Скорость вращения: 7200 rpm; Интерфейс SAS: есть
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000 Гб; Скорость вращения: 7200 rpm; Объем буфера: 128 Мб
Форм-фактор: 2.5"; Емкость: 2000 Гб; Тип: HDD; Шифрование данных: нет; Ширина: 112.7 мм
Тип: DDR4 SO-DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Поддержка ECC: нет
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 3200 МГц; Поддержка ECC: нет
Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 2; Тактовая частота: 3600 МГц; Пропускная способность: 28800 Мб/с
Тип: DDR3 DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей в комплекте: 2; Тактовая частота: 1600 МГц; Поддержка ECC: нет
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Поддержка ECC: нет
Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Пропускная способность: 21300 Мб/с
Радиатор: нет; Количество ранков: 1; Профили XMP: нет; Профили AMP: нет; Тип: DDR4 DIMM Registered
1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 2; Тактовая частота: 3200 МГц; Поддержка ECC: нет
Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Поддержка ECC: нет
Тип: DDR4 SO-DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Поддержка ECC: нет
Тип: DDR4 SO-DIMM; Форм-фактор: SODIMM; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2400 МГц; Поддержка ECC: нет
1 модуль, частота 800 МГц, CL 5T, тайминги 5-5-5-18, напряжение 1.8 В
Напряжение питания: 1.2 В; Количество ранков: 1; Расположение чипов: двустороннее; Число микросхем: 9; Емкость микросхем: 8 Гбит