Оперативная память (2918 товаров)

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23-45, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2133 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15-28, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17-35, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2133 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15-28, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

CAS Latency: 22T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx16

tRCD: 17; Профили AMP: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.2 В

tRCD: 17; Профили AMP: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.2 В

CL: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Напряжение питания: 1.2 В

Тип: DDR4 DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Поддержка ECC: нет

Тип: DDR4 SO-DIMM; Объем одного модуля: 16 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2666 МГц; Поддержка ECC: нет

Количество контактов: 240; Количество ранков: 1; Упаковка чипов: односторонняя; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8.

tRCD: 9; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 512Mx8; Емкость микросхем: 4 Гбит; Число микросхем: 8

tRP: 22; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 2Gx4

tRCD: 16; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: есть

tRCD: 18; Подсветка элементов платы: нет; Профили XMP: есть; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.2 В

tRCD: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Количество ранков: 2

CL: 21; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Напряжение питания: 1.2 В

CAS Latency: 19T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 512Mx16

Общий объем: 8 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Тайминги: 22-22-22; CAS Latency: 22 Т; tRP: 22

Общий объем: 8 Гб; Напряжение питания: 1.2 В; Тайминги: 19-19-19; CAS Latency: 19 Т; tRP: 19