CAS Latency: 22T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx16
Количество контактов: 240; Количество ранков: 2; Напряжение питания: 1.5 В; tRP: 11; tRCD: 11
tRP: 11; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx4
tRCD: 19; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx16
Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2400 МГц
Количество ранков: 1; Упаковка чипов: односторонняя; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; tRP: 9
tRP: 19; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx8; Емкость микросхем: 8 Гбит
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Количество ранков: 1; Напряжение питания: 1.2 В; tRP: 17; tRCD: 17
Буферизованная (Registered): нет; Напряжение питания: 1.5 В; tRP: 9; tRCD: 9; CL: 9
Количество ранков: 1; tRP: 18; CAS Latency: 15Т; Тайминги: 16-18-18; Количество чипов каждого модуля: 8
Количество ранков: 1; tRP: 15; CAS Latency: 13T; Тайминги: 13-15-15; Количество чипов каждого модуля: 8
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Количество ранков: 1; Напряжение питания: 1.35 В; tRP: 11; tRCD: 11
Тип: DDR3L; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 8 Гб; Количество модулей в комплекте: 2; Поддержка ECC: нет
Количество ранков: 1; tRP: 21; CAS Latency: 21T; Тайминги: 21-21-21; Количество чипов каждого модуля: 8
Упаковка чипов: двусторонняя; tRCD: 11; tRP: 11; CAS Latency: 11T; Тайминги: 11-11-11
CAS Latency: 22T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 2Gx8
tRP: 19; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx8; Емкость микросхем: 8 Гбит
Количество ранков: 1; Упаковка чипов: односторонняя; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8.
CAS Latency: 21T; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 1Gx16
Средняя скорость случайной записи: 20 000 IOps; Адаптер 3.5" в комплекте: нет; Ресурс записи: 876 TBW; Дата выхода на рынок: 2019; Контроллер: Phison PS3112-S12
Количество ранков: 1; Упаковка чипов: односторонняя; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8
tRP: 22; Подсветка элементов платы: нет; Профили AMP: нет; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 512Mx16
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Количество ранков: 1; Напряжение питания: 1.5 В; tRP: 11; tRCD: 11
tRCD: 11; Профили XMP: нет; Тип микросхем: 512Mx8; Емкость микросхем: 4 Гбит; Число микросхем: 8
Тип: DDR4; Форм-фактор: DIMM; Объем одного модуля: 4 Гб; Количество модулей в комплекте: 1; Тактовая частота: 2400 МГц
Количество контактов: 240; Количество ранков: 2; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.35 В; tRP: 11
Количество ранков: 1; Упаковка чипов: односторонняя; Радиатор: есть; Напряжение питания: 1.5 В; Количество чипов каждого модуля: 8.
Низкопрофильная (Low Profile): нет; Количество ранков: 1; Напряжение питания: 1.35 В; tRP: 9; tRCD: 9
